首页>商品目录>碳化硅场效应管(MOSFET)
品牌
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  • 美国微芯(MICROCHIP)
  • 华轩阳电子(HXY MOSFET)
  • 国晶微半导体(SUPSiC)
封装规格
  • TO-247AC-3
  • TO-263-7
  • TO-247-3
  • TO-247
  • HiP-247-4
  • AG-62mm
  • TO-252-2L
  • HiP-247
  • -
  • TO247-3
  • H2PAK-7
  • TO-247-4-1
  • TO247-4
  • AG-EASY1B-2
  • TO-3PF
  • TO-247-4
  • TO-263-7-13
  • AG-EASY1B
  • AG-EASY2BM-2
  • TO-247-4L
  • AG-EASY2B
  • AG-HYBRIDD-2
  • TO-263-7-12
  • D2PAK-7
  • TO-247-3-41
沟道类型
  • 6个N沟道
  • 1个N沟道
  • 2个N沟道
Vds-漏源击穿电压
  • 1.7KV
  • 1.2KV
  • 650V
  • 900V
  • 700V
Id-漏极电流(25℃)
  • 56A
  • 36A
  • 140A
  • 7A
  • 7.4A
  • 17A
  • 400A
  • 150A
  • 68A
  • 60A
  • 375A
  • 65A
  • 13A
  • 24A
  • 20A
  • 19A
  • 500A
  • 46A
  • 25A
  • 200A
  • 28A
  • 33A
  • 90A
  • 58A
  • 119A
  • 100A
  • 98A
  • 31A
  • 5.2A
  • 26A
  • 35A
  • 250A
  • 12A
  • 53A
  • 145A
  • 45A
  • 47A
  • 63A
  • 21A
  • 54A
  • 18A
  • 50A
  • 66A
  • 91A
  • 55A
  • 4.7A
  • 6A
  • 39A
  • 52A
Pd-功耗
  • 187W
  • 60W
  • 65W
  • 228W
  • 300W
  • 278W
  • 455W
  • 96W
  • 88W
  • 85W
  • 370W
  • 388W
  • 270W
  • 75W
  • 110W
  • 175W
  • 94W
  • 352W
  • 238W
  • 126W
  • 181W
  • 176W
  • 183W
  • 469W
  • 197W
  • 221W
  • 565W
  • 375W
  • 165W
  • 68W
  • 161W
  • 136W
  • 133W
  • 150W
  • 500W
  • 208W
  • 227W
  • 234W
  • 103W
  • 211W
  • 107W
  • 125W
  • 323W
  • 240W
  • 140W
  • 547W
类型
  • N沟道
  • 1个N沟道
数量
  • 1个N沟道
漏源电压(Vdss)
  • 1kV
  • 1.2kV
  • 1.5kV
  • 1.7kV
  • 650V
  • 900V
连续漏极电流(Id)
  • 37A
  • 120A
  • 36A
  • 66A
  • 55A
  • 23A
  • 46A
  • 32A
  • 18A
  • 3.7A
  • 40A
  • 5A
  • 63A
  • 34A
  • 72A
  • 15A
导通电阻(RDS(on))
  • 80mΩ@20V
  • 40mΩ@15V
  • 98mΩ
  • 75mΩ@15V
  • 120mΩ@15V
  • 160mΩ@20V
  • 54mΩ
  • 800mΩ@20V
  • 80mΩ
  • 45mΩ@20V
  • 180mΩ@18V
  • 32mΩ@15V
  • 50mΩ
  • 65mΩ@15V
  • 15mΩ@15V
  • 60mΩ@15V
耗散功率(Pd)
  • 416W
  • 150W
  • 192W
  • 326W
  • 113.5W
  • 227W
  • 136W
  • 278W
  • 97W
  • 125W
  • 35W
  • 312W
  • 69W
  • 190W
  • 520W
  • 52W
  • 283W
  • 176W
阈值电压(Vgs(th))
  • 2.3V
  • 2.7V
  • 2.5V
  • 3.2V
  • 2.9V
  • 4.2V
  • 2.8V
  • 4V
  • 2.6V
  • 3.5V
  • 2.1V
  • 5.7V
栅极电荷量(Qg)
  • 11.2nC
  • 46nC
  • 188nC
  • 71nC
  • 53nC
  • 37nC
  • 101nC
  • 120nC
  • 21nC
  • 41nC
  • 54nC
  • 40nC
  • 14nC
  • 56nC
  • 22nC
  • 114nC
输入电容(Ciss)
  • 1.393nF
  • 215pF
  • 3.672nF
  • 3.357nF
  • 180pF
  • 1.02nF
  • 5.011nF
  • 1.13nF
  • 2.9nF
  • 2.44nF
  • 414pF
  • 1.39nF
  • 606pF
  • 184pF
  • 1.329nF
  • 760pF
反向传输电容(Crss)
  • 10pF
  • 15pF
  • 2.2pF
  • 6.7pF
  • 8pF
  • 0.9pF
  • 9pF
  • 31pF
  • 7.5pF
  • 11pF
  • 3pF
  • 2pF
  • 5pF
  • 6pF
配置
  • 三相桥
  • 半桥
  • 独立式
输出电容(Coss)
  • 66pF
  • 78pF
  • 208pF
  • 19pF
  • 176pF
  • 129pF
  • 20pF
  • 70pF
  • 80pF
  • 289pF
  • 92pF
  • 103pF
  • 171pF
  • 48pF
  • 58pF
  • 16pF
工作温度
  • -55℃~+200℃
  • -40℃~+175℃
  • -40℃~+150℃
  • -55℃~+175℃
  • -55℃~+150℃
封装类型
  • 单管
Vgs(th)-漏源阈值电压
  • 4.5V
RDS(on)-导通电阻(15V)
  • 0.809Ω
Qg-栅极电荷
  • 33nC
  • 5nC
Ciss-输入电容
  • 1.118NF
  • 275pF
Crss-反向传输电容
  • 13pF
  • 0.7pF
RDS(on)-导通电阻(18V)
  • 0.048Ω
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