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碳化硅场效应管(MOSFET) SCT040W120G3-4AG HiP-247-4
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详细参数
商品编码10YF344123
原厂编码SCT040W120G3-4AG
品牌意法半导体(ST)
毛重7.95
封装规格HiP-247-4
工作温度-55℃~+200℃
类型N沟道
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
导通电阻(RDS(on)...54mΩ
耗散功率(Pd)312W
阈值电压(Vgs(th)...4.2V
连续漏极电流(Id)40A
栅极电荷量(Qg)56nC
输入电容(Ciss)1.329nF
反向传输电容(Crss)10pF
输出电容(Coss)78pF
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