品牌
  • 长电/长晶(JCET)
  • 安森美(onsemi)
  • 安世(Nexperia)
  • 意法半导体(ST)
  • 德州仪器(TI)
  • 美台(DIODES)
  • 圣邦微(SGMICRO)
  • 罗姆(ROHM)
  • 东芝(TOSHIBA)
  • ADI(亚德诺)
  • 赛普拉斯(CYPRESS)
  • 美国微芯(MICROCHIP)
  • 美信(MAXIM)
  • 恩智浦(NXP)
  • 中微爱芯(I-CORE)
  • 凌特(LINEAR)
  • 思瑞浦(3PEAK)
封装规格
  • SOP8
  • SSOP-16-150mil
  • DSBGA-8
  • VSSOP-10-0.5mm
  • SOT-5
  • SO-14
  • VSSOP-8-0.5mm
  • SOT-23-Thin-6
  • SO-20-208mil
  • SO-16
  • MiniSO-8
  • SOIC-8-208mil
  • SOP-8-208mil
  • UMAX-8
  • PDIP-20
  • SOIC-20
  • CDIP-8
  • SOT-6
  • CDIP-16
  • CERDIP-8
  • SOP
  • TSSOP-5
  • VSSOP-8
  • SC-70-6
  • SOP14
  • TSOP-5
  • SOT-25-5
  • SO-8
  • SSOP-B14
  • SSOP-5
  • HVSOF-5
  • SC-70-6(SOT-363)
  • SSOP-8
  • SC-70-5
  • PDIP-16
  • SOT-23-8
  • SOT-363-6
  • SOIC-20-300mil
  • PDIP-8
  • SOIC-16
  • TSOT-23-5
  • QSOP-16
  • TSOT-23-8
  • DIP-14
  • DIP-8
  • MSOP-10
  • MSOP-8
  • SC-70
  • SOIC-14
  • SOIC-8
  • SOP-14
  • SOP-16
  • SOP-8
  • SOT-23-5
  • SOT-23-6
  • SOT-25
  • SOT-353
  • TSOT-23-6
  • TSSOP-14
  • TSSOP-8
  • SOIC-8-175mil
  • SOT-363(SC-70-6)
  • TO-99-8
  • X2SON-6(1x1)
  • CFP-14
  • WQFN-32(5x5)
  • QFN-16-EP(3x3)
  • TSSOP-8-B
  • CDIP-14
  • SC-74A
  • SOIC(D)-8
  • UFSON-8(2x2)
  • SOIC-14-208mil
  • CSP-6(0.8x1.2)
  • QFN-14(2x2)
  • MDIP-8
  • SON-6(1x1.4)
  • CDIP(J)-14
  • DFN-3
  • XSON-6(1x1.5)
  • QFN-8L
  • TSSOP-5-1.3mm
  • DSBGA-4
  • DFN-16
  • QFN-16(3x3)
  • WQFN-12(3x3)
  • TSSOP-14-BJ
  • UQFN-8(1.5x1.5)
  • DSBGA-8(1.3x2)
  • MicroPak-6
  • X2SON-5-EP(0.8x0.8)
  • WSON-6(1.5x1.5)
  • WQFN-16-EP(3x3)
  • DIP14
  • PDIP-14
  • LCC-20(8.9x8.9)
  • UDFN-8-EP(1.6x1.6)
  • SOT-23-THIN
  • WQFN-24(4x4)
  • WSON-8-EP(2x2)
  • SSOP-14-208mil
  • X2SON-5(0.8x0.8)
  • SSOP-14-B
  • SO-14-208mil
  • CFP-10
  • TSSOP14
  • TO-100
  • WSON-8(2x2)
  • SC70(DCK)
  • SOIC-14-175mil
  • TSSOP-16-175mil
  • SOP-8-J
  • X2-DFN1410-6
  • DFN-6(1x1.2)
  • TO-100-10
  • SSOP-14-4.4mm
  • SSOP-8-4.4mm
  • CDIP-24
  • X2DFN12106
  • TSOP-5-1.5mm
  • SOT-553-5
  • SO-8-5.6mm
  • SSOP-5-1.6mm
  • LSSOP-14-175mil
  • SC-88A
  • TSSOP-14-175mil
  • SSOP-8-B
  • -
  • DFN-8(2x2)
  • WQFN-24-EP(4x4)
  • CPAK-10
  • WQFN-16(3x3)
  • TQFN-16-EP(3x3)
电源电压
  • 1.8V~5.5V
  • 2.7V~5.5V
  • 2.7V~5V
输出类型
  • 开漏
  • 推挽
  • 开集
  • 开集;开漏
  • 开集;开射
工作温度
  • -55℃~+125℃
  • -40℃~+105℃
  • -40℃~+85℃
  • -40℃~+125℃
  • -25℃~+125℃
  • -40℃~+150℃
  • 0℃~+70℃
  • -25℃~+85℃
每个通道供电电流
  • 13uA
  • 1.25mA
  • 40uA
  • 2.5mA
  • 50uA
  • 3uA
  • 120uA
  • 300uA
  • 11.5mA
  • 15uA
  • 58uA
  • 950nA
  • 1.2uA
  • 200uA
  • 375uA
  • 1.7mA
  • 55uA
  • 16uA
  • 700uA
  • 130uA
  • 7.5mA
  • 25uA
  • 250uA
  • 6mA
  • 75uA
  • 150uA
  • 1uA
  • 26uA
  • 1.8mA
  • 4uA
  • 12uA
  • 2mA
  • 5mA
  • 12.5mA
  • 17uA
  • 1mA
  • 500nA
  • 14uA
输入偏置电流(Ib)
  • 500nA
  • 1uA
  • 10pA
  • 10uA
  • 1pA
  • 5uA
  • 600pA
  • 250nA
  • 50nA
  • 1nA
  • 125nA
  • 20pA
  • 40nA
  • 100nA
  • 300pA
  • 0.5pA
  • 0.04pA
  • 3pA
  • 160nA
  • 300nA
  • 400nA
  • 15uA
共模抑制比(CMRR)
  • 86.02dB
  • 95dB
  • 78dB
  • 82dB
  • 85dB
  • 81dB
  • 97dB
  • 70dB
  • 71dB
  • 80dB
  • 110dB
  • 90dB
  • 74dB
  • 53dB
  • 66dB
  • 79dB
  • 67dB
  • 68dB
  • 75dB
输入失调电压(Vos)
  • 1.5mV
  • 15mV
  • 4.5mV
  • 2mV
  • 500uV
  • 8mV
  • 3mV
  • 6mV
  • 1mV
  • 1.4mV
  • 7mV
  • 10mV
  • 30mV
  • 4mV
  • 9mV
  • 11mV
  • 5mV
  • 11.5mV
  • 1.6mV
  • 20mV
  • 14mV
  • 7.5mV
工作电压
  • 1.8V~5V
  • 800mV~2.75V;1.6V~5.5V
  • 900mV~2.75V;1.8V~5.5V
  • 2V~32V;1V~16V
  • 2.7V~16V;1.35V~8V
  • 2.2V~5V
  • 2.7V~5.5V
  • 1.35V~7.5V;2.7V~15V
  • 2.7V~5V
  • 3V~36V;1.5V~18V
  • 1.5V~16V;3V~32V
  • 4.5V~11V
  • 5V~30V;2.5V~15V
  • 1.5V~5.5V
  • 3.5V~30V;1.75V~15V
  • 850mV~5.5V
  • 2.7V~16V
  • 5V~10V;2.5V~5V
  • 1.5V~8V;3V~16V
  • 1.8V~18V
  • 1V~18V;2V~36V
  • 5V~10V
  • 1.6V~5.5V
  • 1.25V~5.5V;2.5V~11V
  • 2.7V~10V
  • 1.3V~5.5V
  • 2V;18V;1V~36V
  • 850mV~6V
  • 2V~36V;1V~18V
  • 900mV~5.5V
  • 1.8V~5.5V
  • 2V~30V;1V~15V
  • 4.5V~5.5V
  • 3V~30V;1.5V~15V
  • 1.6V~5V
  • 2.2V~10V
输出模式
  • MOS;DTL;TTL;CMOS;ECL
  • CMOS
  • TTL
  • MOS;RTL;DTL;TTL
  • DTL;TTL;CMOS;ECL
  • MOS;TTL;CMOS
  • TTL;CMOS
  • MOS;DTL;TTL;CMOS
比较器组数
  • 2
  • 1
  • 4
传播延迟时间
  • 1.5us
  • 10us
  • 5us
  • 6us
  • 400ns
  • 15us
  • 300us
  • 4.5us
  • 450ns
  • 120ns
  • 12us
  • 29us
  • 68ns
  • 22us
  • 13.5us
  • 560ns
  • 940us
  • 600ns
  • 80ns
  • 2us
  • 10ns
  • 8us
  • 1.1us
  • 720ns
  • 20ns
  • 50ns
滞后电压(Vhys)
  • 13mV
  • 3.5mV
  • 20mV
  • 4.2mV
  • 5.5mV
  • 6.5mV
  • 50mV
  • 3.1mV
  • 4mV
  • 5mV
  • 2mV
清除筛选
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