自定物料编码
*自定义编码
品牌
- 赛普拉斯(CYPRESS)
- 兆易创新(GigaDevice)
- 镁光(MICRON)
- 华邦(WINBOND)
- 创世(CS)
- 晶豪科技(ESMT)
- 旺宏电子(MXIC)
- 米客方德(MK)
- 天微(TM)
- 芯天下(XTX)
封装规格
- TSOP-48
- FBGA-63
- BGA-63
- USON-8-EP(2x3)
- VFBGA-63
- TSOP-48_18.4X12MM
- BGA-24(6x8)
- VFBGA-63(9x11)
- TSOP48_12X18.4MM
- BGA-162(8x10.5)
- WSON8_8X6MM_EP
- WSON-8(6x8)
- UPDFN-8
- WSON8(6x8)
- Tube
- WSON-8-EP(6x8)
- TFBGA-153(11.5x13)
- WSON-8(8x6)
- 8-UDFN
- TSOPI-48
- LGA8_6X8MM
- TSOPI-48L
- -
- TSOP-48-18.4mm
- LGA8_8X6MM
- LGA8(6*8)
- USON-8-EP(6x8)
- TFSOP-48-18.4mm
- LGA8_8X6.2MM
- 1
- LGA-8_8X6.2MM
- WSON-8(5x6)
- TFBGA-153
- LGA8_8.5X7MM
- VFBGA-153(11.5x13)
- LGA8_9X12.5MM
写周期时间(Tw)
- 25ns
- 50ns
- 250us
Flash构架
- NAND FLASH
待机电流
- 20uA
- 10uA
- 50uA
- 100uA
RAM构架
- DDR SDRAM
擦写寿命
- 10万次
- 6万次
- 100000次
- 8万次
Flash存储容量
- 4Gbit
功能特性
- 坏块管理功能;硬件写保护功能;读缓存功能;OTP区域写保护与锁定功能;ECC纠错功能;软件复位功能;复制回写功能;写使能锁存;软件写保护功能
- 硬件写保护功能;读缓存功能;电源锁定保护功能;ECC纠错功能;软件复位功能;复制回写功能
- 硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能
- 坏块管理功能;硬件写保护功能;读缓存功能;OTP区域写保护与锁定功能;ECC纠错功能;复制回写功能
- 硬件写保护功能;读缓存功能;ECC纠错功能;软件复位功能;复制回写功能
- 硬件复位功能;硬件写保护功能;OTP区域写保护与锁定功能;ECC纠错功能;软件复位功能;写使能锁存;软件写保护功能
- 硬件写保护功能；读缓存功能；电源锁定保护功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能
- 坏块管理功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；软件复位功能；写使能锁存；软件写保护功能
- 硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护
- 硬件写保护功能;读缓存功能;OTP区域写保护与锁定功能;ECC纠错功能;软件复位功能;复制回写功能
- 硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；软件复位功能；写使能锁存；软件写保护功能
RAM存储容量
- 2Gbit
页写入时间(Tpp)
- 300us
- 700us
- 330us
- 320us
- 400us
- 200us
- 250us
工作电压
- 1.7V~1.95V
- 2.7V~3.6V
- 1.65V~2V
工作温度
- -40℃~+95℃
- 0℃~+70℃
- -40℃~+85℃
- -25℃~+85℃
- -40℃~+105℃
- -30℃~+85℃
接口类型
- Parallel
- SPI
- SD2.0
- 并口(Parallel)
- SD3.0
存储容量
- 128Gbit
- 4Gbit
- 16Gbit
- 2Tbit
- 32Gbit
- 32Mbit
- 512Mbit
- 1Tbit
- 64Gbit
- 2Gbit
- 8Gbit
- 1Gbit
存储器类型
- 1个FLASH+1个RAM
写周期时间(tWC)
- 25ns
页写入时间(Tprog)
- 250us
- 300us
块擦除时间(tBE)
- 2.5ms
- 10ms
- 2ms
- 3.5ms
- 3ms
- 200ms@(64KB)
- 700us
数据保留 - TDR(年)
- 10年
- 20年
时钟频率(fc)
- 40MHz
- 104MHz
- 50MHz
- 533MHz
- 166MHz
- 133MHz
- 208MHz
ECC
- 有
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