品牌
  • 镁光(MICRON)
  • 海力士(Hynix)
  • 芯成半导体(ISSI)
封装规格
  • FBGA-170(12x14)
  • TFBGA-134(10x11.5)
  • FBGA-78
  • TSOP-66-10.2mm
  • FBGA-96
存储容量
  • 2Gbit
  • 8Gbit
时钟频率(fc)
  • 933MHz
  • 667MHz
  • 533MHz
工作电压
  • 1.7V~1.95V
  • 1.425V~1.575V
  • 1.283V~1.45V
工作温度
  • -40℃~+95℃
  • -40℃~+85℃
工作电流
  • 85mA
功能特性
  • 自动预充电功能;数据掩码功能
  • 自动自刷新;内置温度传感器;自动预充电功能;ZQ校准功能;异步复位功能;数据掩码功能
  • 写入均衡功能;自动自刷新;自动预充电功能;ZQ校准功能;异步复位功能;动态片上端接;数据掩码功能
  • 自动自刷新;自动预充电功能;ZQ校准功能;异步复位功能;动态片上端接;数据掩码功能
存储器构架(格式)
  • DDR3L SDRAM
  • LPDDR2 SDRAM
  • DDR3 SDRAM
刷新电流
  • 6mA
  • 30mA
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EDW4032BABG-70-F-D
镁光(MICRON)
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MT41K2G4RKB-107:P
镁光(MICRON)
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H5TQ2G63GFR-RDC
海力士(Hynix)
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