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碳化硅场效应管(MOSFET) IPD60R360P7S-HXY TO-252-2L
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详细参数
商品编码10HXY356852
原厂编码IPD60R360P7S-HXY
品牌华轩阳电子(HXY MOSFET)
毛重0.381
封装规格TO-252-2L
配置独立式
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
导通电阻(RDS(on)...180mΩ@18V
耗散功率(Pd)52W
阈值电压(Vgs(th)...3.5V
连续漏极电流(Id)15A
栅极电荷量(Qg)11.2nC
输入电容(Ciss)180pF
反向传输电容(Crss)0.9pF
输出电容(Coss)20pF
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