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碳化硅场效应管(MOSFET) IMBF170R1K0M1XTMA1 TO-263-7-13
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详细参数
商品编码10YFL206431
原厂编码IMBF170R1K0M1XTMA1
品牌英飞凌(INFINEON)
毛重1.7
封装规格TO-263-7-13
Vds-漏源击穿电压1.7KV
沟道类型1个N沟道
Id-漏极电流(25℃)5.2A
Pd-功耗68W
工作温度-55℃~+175℃
封装类型单管
Vgs(th)-漏源阈值...4.5V
RDS(on)-导通电阻...0.809Ω
Qg-栅极电荷5nC
Ciss-输入电容275pF
Crss-反向传输电容0.7pF
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