封装规格TO-U000fca20U0003a4fcU0008f871
工作温度-55℃(TJ)-175℃(TJ)
FET类型N-沟道
Ciss-不同xa0Vd...U000fca20U000aa458U000aa458U000aa458pF@U0008f871U000aa458V
Id-连续漏极电流????U000d4e9dA
Vds-漏源极击穿电压U0003a4fcU000aa458V
Rds(On)-漏源导通...U000d4e9dU0007c87bU000e75b3mΩ@????U000d4e9dA,U0006401dU000aa458V
零件状态在售
Vgs-栅源极电压±U000fca20U000aa458V
Vgs(th)-栅源极阈...U000fca20U0007c87bU00047bf6V@U0008f871U0003a4fcµA
包装方式卷带包装
安装方式贴片安装
最大功率耗散U0008f871W(Ta),U00047bf6U0008f871W(Tc)
栅极电荷U000fca20U000e75b3nC@U0006401dU000aa458V