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场效应管(MOSFET) CMD11N40 TO-252
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详细参数
商品编码10CMOS357429
原厂编码CMD11N40
品牌广东场效应半导体(Cmos)
毛重0.39
封装规格TO-252
工作温度-55℃~+150℃
导通电阻(RDS(on)...530mΩ@10V,4.5A
阈值电压(Vgs(th)...4V
耗散功率(Pd)100W
反向传输电容(Crss)85pF
栅极电荷量(Qg)30nC@320V
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)2.2nF@25V
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)11A
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