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场效应管(MOSFET) CMN12P04M SOT-23-3L
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详细参数
商品编码10CMOS357606
原厂编码CMN12P04M
品牌广东场效应半导体(Cmos)
毛重0.032
封装规格SOT-23-3L
类型P沟道
工作温度-55℃~+150℃
导通电阻(RDS(on)...65mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th)...2.5V
耗散功率(Pd)2W
反向传输电容(Crss)60pF
栅极电荷量(Qg)10nC@4.5V
数量1个P沟道
输入电容(Ciss)1.05nF
输出电容(Coss)100pF
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)8A
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