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场效应管(MOSFET) HYG009N04LS1C2 DFN-8(5.1x5.8)
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详细参数
商品编码10HY351798
原厂编码HYG009N04LS1C2
品牌华羿微(HUAYI)
毛重0.052
封装规格DFN-8(5.1x5.8)
类型N沟道
工作温度-55℃~+175℃
导通电阻(RDS(on)...1.4mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th)...3V
耗散功率(Pd)75W
栅极电荷量(Qg)89nC@10V
反向传输电容(Crss)58pF
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)5.876nF
输出电容(Coss)1.278nF
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)200A
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