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场效应管(MOSFET) HY19P03B TO-263-2
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详细参数
商品编码10HQ343704
原厂编码HY19P03B
品牌华羿微(HUAYI)
毛重1.598
封装规格TO-263-2
类型P沟道
工作温度-55℃~+150℃
导通电阻(RDS(on)...8mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th)...3V
耗散功率(Pd)96W
栅极电荷量(Qg)90nC@10V
反向传输电容(Crss)323pF
数量1个P沟道
输入电容(Ciss)4.787nF
输出电容(Coss)461pF
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)90A
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