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碳化硅场效应管(MOSFET) IMW65R039M1HXKSA1 TO-247-3-41
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详细参数
商品编码10YFL206516
原厂编码IMW65R039M1HXKSA1
品牌英飞凌(INFINEON)
毛重1
封装规格TO-247-3-41
Vds-漏源击穿电压650V
沟道类型1个N沟道
Id-漏极电流(25℃)46A
Pd-功耗176W
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