本文主要介绍Microchip推出SiC系列的MOSFET和肖特基势垒二极管，Microchip通过其子公司Microsemi（美高森美）宣布推出一系列SiC功率器件。该系列器件具有良好的耐用性，以及宽带隙技术优势。

本文主要介绍CISSOID推出高温栅极驱动器,碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT功率模块，各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID，在2019年欧洲功率电子及智能传动产品展览会(PCIM 2019)上展示了最新的高温栅极驱动器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT功率模块。

本文主要介绍英飞凌联手Schweizer开发芯片嵌入式功率MOSFET,提升48V系统性能，英飞凌科技股份公司联合Schweizer电子股份公司成功开发出面向轻度混合动力汽车的新技术：芯片嵌入式功率MOSFET。它将显著提升48 V系统的性能，同时降低它们的复杂度。大陆集团动力总成事业群将是首…

本文主要介绍Nexperia推出MOSFET和LFPAK系列的新封装，Nexperia分立器件、逻辑器件及 MOSFET 器件的全球领导者，今日宣布推出其 MOSFET 和 LFPAK 系列的新封装。该封装与其最新的硅技术相结合，

本文主要介绍PI推出单通道SiC MOSFET门极驱动器，碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆变器应用的开关性能，能够在增强热性能的同时提供较高的击穿场强及开关频率，不过，SiC要求在更