PI推出单通道SiC MOSFET门极驱动器

本文主要介绍PI推出单通道SiC MOSFET门极驱动器，碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆变器应用的开关性能，能够在增强热性能的同时提供较高的击穿场强及开关频率，不过，SiC要求在更紧凑的设计中能够获得更快速的短路保护，这对门极驱动器提出了独特的挑战需要在不同的SiC架构中支持各种不同的门极电压。

SiC MOSFET门极驱动器特性

高级有源钳位(AAC)

超快速短路检测

过流故障关断

原方和副方欠压保护(UVLO)

其主要应用包括不间断电源(UPS)、光伏系统、伺服驱动器、电焊机和电源。

PI全新的SIC1182K SCALE-iDriver IC 是一款市售可提供高效率的单通道SiC MOSFET门极驱动器，可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级，它经过设定后可支持不同的门极驱动电压，来满足市售SiC MOSFET的需求。

其中金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor），MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

对比Power MOSFET全称功率场效应晶体管，它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G），主要优点：热稳定性好、安全工作区大，缺点：击穿电压低，工作电流小。

以上就是PI推出单通道SiC MOSFET门极驱动器，希望对各位有帮助。