CISSOID推出高温栅极驱动器,碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT功率模块

本文主要介绍CISSOID推出高温栅极驱动器,碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT功率模块，各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID，在2019年欧洲功率电子及智能传动产品展览会(PCIM 2019)上展示了最新的高温栅极驱动器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT功率模块。

CISSOID公司推出了一款新型栅极驱动器板，该板针对额定温度为125°C(环境温度)的62mm碳化硅MOSFET功率模块进行了优化。该板基于CISSOID的HADES栅极驱动器芯片组，还可以驱动IGBT功率模块，同时可为汽车和工业应用中高密度功率转换器的设计提供散热空间。它支持高频(> 100KHz)和快速的碳化硅MOSFET开关(dV/dt> 50KV/μs)，从而可以提升功率转换器的效率并减小其尺寸和重量。

该板专为恶劣的电压环境而设计，支持1200V和1700V功率模块的驱动，隔离电压高达3600V(经过50Hz、1分钟的耐压测试)，爬电距离为14mm。欠压锁定(UVLO)、有源米勒钳位(AMC)和去饱和检测等保护功能，确保一旦发生故障时既可以保证安全驾驶，还能为功率模块提供可靠的保护。“这款新型碳化硅栅极驱动器板是与汽车、运输和航空航天市场中的行业领导者们多年合作开发的成果。

在纽伦堡，CISSOID还展示了最新的碳化硅MOSFET器件和IGBT功率模块。一款新型分立式1200V/40mOhms碳化硅MOSFET晶体管已可供货，其采用TO-247封装，可以在-55°C至175°C的温度范围内正常工作。

该MOSFET在25°C(结温)时，漏极到源极导通电阻是40mOhms，在175°C(结温)时，导通电阻是75mOhms。很低的开关导通和关断能量(分别为1mJ和0.4mJ)使该器件成为高效紧凑的DC-DC转换器、功率逆变器和电池充电器的理想选择。CISSOID公司还展示了两款额定电流分别为200A和300A的62mm 1200V IGBT功率模块。

CISSOID还在致力于研发碳化硅MOSFET功率模块，并将在未来几个月推出。“这些新产品表明CISSOID致力于提供全面的基于碳化硅的解决方案，包括晶体管、模块和栅极驱动器，以支持行业在新型电动汽车和可再生能源应用中使用高效、轻便、紧凑的功率转换产品，”CISSOID首席执行官Dave Hutton先生表示。“我们正与整车厂和汽车零部件供应商密切合作，为新型碳化硅功率逆变器在新能源汽车中的应用定制栅极驱动器。”他补充道。

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