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【MDD辰达半导体】MDDG03R04Q 服务器和新能源的好帮手

发布于2025-06-06 14:21:03 106次阅读
在服务器电源、工业驱动及新能源领域,MOSFET的性能直接决定系统的能效与可靠性。为满足高密度、高效率需求,MDD半导体推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(30V N沟道增强型MOS)凭借3.5mΩ低导通电阻与屏蔽栅优化技术,为同步整流、电机驱动等场景提供高效解决方案。  
 
一、产品概述:PowerTrench工艺与屏蔽栅技术的融合  
MDDG03R04Q采用MDD的Trench工艺,结合屏蔽栅结构,通过优化载流子迁移路径与电场分布,实现:  
极低导通电阻:RDS(on)低至3.5mΩ(VGS=10V,ID=20A),显著降低导通损耗。  
快速开关性能:优化栅极电荷(Qg)与软恢复体二极管,支持高频应用。  
工业级可靠性:100% UIS测试认证,确保雪崩能量耐受能力。  
       
 
 
二、核心性能与关键参数  
1. 导通与动态特性  
RDS(on)@10V=3.5mΩ:相比传统MOSFET,导通损耗降低,提升电源转换效率。  
低反向恢复电荷(Qrr):减少同步整流中的反向导通损耗,优化系统能效。  
快速开关响应:开启/关断延迟时间优化,适配高频PWM控制。  
 
2. 可靠性认证与环保标准  
100% UIS测试:单脉冲雪崩能量(EAS)通过严格验证,保障感性负载场景稳定性。  
RoHS合规:无铅环保工艺,符合全球环保法规。  
 
3. 热性能与封装设计  
PDFN3*3-8L封装:贴片式金属背板设计提升散热能力,支持持续高电流工况。  
宽温工作范围:-55℃~150℃,适应严苛环境。  
 
 
三、典型应用场景  
1. 同步整流(ATX/服务器/电信PSU)  
低RDS(on)与Qrr特性:优化DC/DC转换效率,减少同步整流损耗,适用于钛金级电源设计。  
高频开关能力:适配LLC谐振拓扑,提升功率密度。  
 
2. 工业电机驱动与不间断电源(UPS)  
80A持续电流能力:支持伺服电机、AGV小车驱动需求。  
高雪崩能量耐受:应对电机启停与电池切换瞬态冲击,系统可靠性提升25%。  
 
3. 微型太阳能逆变器(Micro Solar Inverter)  
高效MPPT控制:低导通损耗提升光伏能量转换效率。  
宽温工作范围:适应户外极端温度波动,保障长期稳定运行。  
 
 
 
四、选型推荐
除此之外,MDD新推出的低压大电流系列MOS针对不同的应用场景,推出不同的型号,以满足各行业匹配需求。



 

深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业。
公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。MDD全线产品均在油柑网有售,欢迎选型试样。 

 
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