英特尔强势入局服务器存储器市场

本文主要介绍英特尔强势入局服务器存储器市场，据ETnews报道，英特尔强势入局服务器存储器市场，日前已经推出了一种结合DRAM与NAND Flash优势于一体的新一代Intel Optane存储器H10。

有人预测，这种新的存储器可以建立一个新的存储器生态系统，英特尔几乎垄断了服务器CPU，这有利于将H10推广到服务器当中。而为了应对来势汹汹的英特尔新产品，存储器巨头三星电子和SK 海力士表示也将推出类似的产品。一方是垄断服务器CPU的英特尔，一方是垄断存储器的巨头，可以说，一场垄断与垄断的战争一触即发。

三星电子和SK 海力士的反应已经侧面证明了H10有多优秀。4月26日，英特尔在韩国公举行的新数据中心产品展示会上介绍了这款战略产品。该产品将Intel Optane技术和Intel Quad Level Cell(QLC)3D NAND技术的储存容量整合在单一的M.2模块当中。

虽然该产品看起来像DRAM，但其功能与DRAM完全不同。尽管它的信息处理速度比DRAM慢一点，但它可以像NAND Flash一样在断电时记录信息。它是第一款同时基于DRAM和NAND Flash优势的产品。

英特尔发言人指出，虽然H10比DRAM慢，但它的价格更具竞争力，而且即使断电后，它也能存储必要的信息。

此外，英特尔与美光多年来所开发的3D XPoint 技术，可以将NAND Flash 的速度提高1,000 倍，并延长使用寿命。这项技术使得H10更适合在服务器内使用。

业内人士将英特尔的H10称为下一代存储装置“PRAM”。英特尔虽然表示从未将“Optane DC Persistent Memory”定义为一款PRAM产品，今后也不会发布此类声明。然而，这款产品却符合PRAM的特点，从一个方面来说，它结合了DRAM和NAND Flash的优点。

专家们认为，随着英特尔抢占下一代存储器市场的上风，该产品的问世动摇了存储器市场的格局。业界认为，如果占据服务器CPU 95%市场份额的英特尔继续推出强调兼容性的Optane存储产品，那么存储器市场将被重新洗牌。

业内人士强调，如果英特尔继续推出只与Optane存储器兼容的CPU，那么在存储市场英特尔将能够迅速赶上三星电子和SK 海力士。事实上，英特尔也的确提到过H10与本月初新发布的50种第二代服务器CPU之间的兼容性。

在英特尔磨刀霍霍准备打乱存储市场格局的情况下，有消息称三星电子和SK 海力士也在做必要的准备，受到英特尔的影响，三星电子已经开始增加PRAM产品的研发人员。SK 海力士的一位发言人也表示，正在开发PRAM产品，将在相关市场开放时发布这类产品。

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