晶振技术指标_有源晶振类型
本文主要介绍晶振技术指标_有源晶振类型，晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片，石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振；而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器，其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
石英晶振是石英晶体谐振器和石英晶体时钟振荡器的统称，它是一种用于稳定频率和选择频率的电子元件，可分无源晶振和有源晶振两种类型。
晶振技术指标
基准频率：晶振在完全理想条件下的振荡频率。
工作电压：晶振的工作需要外部提供一定的电源电压，晶振输出的时钟信号上的噪声与电源再说紧密相关，因此在晶振器件资料上，对电源的质量有一定的要求。
输出电平：晶振与晶体相比，最为突出的一点就是只要上电，就直接输出时钟信号。时钟信号的电平也多种多样，支持的电平主要包括：TTL、CMOS、HCMOS、LVCOMS、LVPECL、LVDS等。在选型中，应根据所需时钟电平的种类选择相应的晶振。
工作温度范围：根据环境温度要求的不同，应选择对应的工作温度范围。
频率精度：对应不同的工作温度范围，可选择不同的频率精度。以±15ppm@-20~70℃为例，其含义是，在-20~70℃温度范围内，该晶振输出频率相对基准频率的偏差不会超过15ppm。该参数是晶振的重要参数，包含了由于温度变化、电源电压波动、负载变化等因素引起的频率偏差。
老化度：在恒定的外接条件下测量晶振频率，频率精度与时间之间的关系。
启动时间：从上电到晶振输出频率的偏差达到规定的频率精度所需要的时间。
时钟抖动(Jitter)：周期抖动（JPER）是实测周期与理想周期之间的时间差。由于具有随机分布的特点，可以用峰-峰值或均方根(RMS)描述。首先定义门限VTH的时钟上升沿位于时域的TPER(n)，其中n是一个时域系统。
利用示波器的边沿触发和余辉功能，可以粗略的测量信号的抖动。使用该方法的测量并不具有实际意义。原因：（1）随着测量时间的增加，测得的抖动值将不断增加，即利用这种测量方法，无法得到确定的抖动值；（2）即使能得到确定的抖动值，这样的值对电路设计也没有任何指导意义，只能粗略判断所使用的晶振的抖动情况。
相位噪声：短期稳定度的频域量度。用单边带噪声与载波噪声之比£（f）表示，£；（f）与噪声起伏的频谱密度Sφ（f）和频率起伏的频谱密度Sy（f）直接相关，由下式表示：f2S（f）=f02Sy（f）=2f2£；（f）f—傅立叶频率或偏离载波频率；f0—载波频率。
有源晶振类型
普通封装晶体振荡器(SPXO)
它无温度补偿功能，也无电压控制功能，其频率特性完全取决于晶体以及外部振荡电路。标准频率为1~100MHz，频率精度最高可达±10ppm。由于SPXO不包含任何频率补偿功能，因此是晶振中精度最差的一个种类，价格低廉，通常作为微处理器的时钟器件。在PCB布局时，SPXO器件应远离发热源。
压控式晶体振荡器(VCXO)
VCXO是通过外部施加控制电压时振荡频率可调的晶体振荡器。它的特点：输出频率可以通过输入电压控制，一般控制范围为±50~±200ppm。工作原理：通过改变外加调整电压的大小，能改变容性负载CL的值，从而实现频率的调整。由于VCXO的具有振荡频率可调整的特点，所以用频率—温度稳定度来定义环境温度变化对频偏的影响。由于VCXO不具备温度补偿功能，因此在PCB布局时，VCXO器件应远离发热源。VCXO除了电源电源外，还需要控制电压，以调整输出频率，当控制电压调整为中央电压时，VCXO输出标称的基准频率。VCXO常用在锁相环电路中。
温度补偿晶体振荡器(TCXO)
TCXO是利用附件的温度补偿电路以减少环境温度对振荡频率的影响，其特点是频率精度远远高于SPXO和VCXO。工作原理：利用热敏电阻的温度敏感性，当温度变化时，热敏电阻的阻值和容性负载同时发生变化，而容性负载的变化会改变振荡频率，从而实现对振荡频率的修正。
恒温晶体振荡器(OCXO)
将晶体和振荡电路置于恒温箱中，以消除环境温度变化对频率的影响。频率精度为10-10~10-8量级。频率稳定度在四种类型振荡器中最高。
不同的特性决定了四种类型晶振的应用场合：如果需要设备即开即用，需选用SPXO、VCXO和TCXO。OCXO晶振需要一定的稳定时间。如果要求时钟信号较高的稳定度，推荐使用TCXO和OCXO。
以上就是晶振技术指标_有源晶振类型，希望对各位有帮助。
