安森美半导体近期推出了新款R系列硅光电倍增管

本文主要介绍安森美半导体近期推出了新款R系列硅光电倍增管，安森美半导体（ON Semiconductor）近期推出了新款R系列硅光电倍增管（SiPM），提高了电磁波谱红色和近红外区域的灵敏度。

硅光电倍增管特性和优势：高增益和探测效率，来自独特的“快速输出”端子，905nm处的PDE > 10%，单光子灵敏度，1mm传感器尺寸，并提供各种微型尺寸，紧凑而坚固的MLP封装，偏置电压 < 50V，高响应度 > 100kA/W (905nm)，超快的上升时间和脉冲宽度，可提供带SMA连接器或引脚的评估板

硅光电倍增管应用领域：3D测距和传感；医学影像；危险与威胁探测；生物光子学与科学应用；高能物理应用

此次推出的RB系列SiPM传感器是R系列的最新版本，与之前的RA系列SiPM传感器相比，可提供更高的光子探测效率和更低的串扰。

安森美半导体RB系列SiPM可在低偏置电压下实现单光子灵敏度、高响应度和快速信号响应。

该系列光电传感器采用紧凑而坚固的模塑引线框架封装（MLP），适用于回流焊工艺。RB系列SiPM及其封装均针对规模生产而设计，以卷带形式交付。

RB系列SiPM的主要应用为采用905nm波长的激光雷达（LiDAR）和测距应用。相比雪崩光电二极管（APD）和PIN二极管，该系列SiPM传感器改善了高增益和单光子灵敏度。

对于激光雷达（LiDAR）应用，这些特性可使LiDAR系统实现低反射率物体的远距离探测。与运行类似的仅能探测单光子的单光子雪崩二极管（SPAD）不同，SiPM通过“微元（microcell）”结构克服了这一限制，可实现具有高动态范围的多光子探测。
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