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INFINEON加速推出CoolSiC MOS场效应管1200V单管新产品

发布于2019-05-15 17:32:21 168次阅读

本文主要介绍INFINEON加速推出CoolSiC MOS场效应管1200V单管新产品,INFINEON加速推出CoolSiC MOSFET 1200V单管新产品,新产品导通电阻从30 mΩ到350 mΩ不等,拥有TO247-3pin和TO247-4pin两种封装。另外,表面贴封装(SMD)和CoolSiC MOSFET 650V单管新产品也将很快面世。

INFINEON加速推出CoolSiC MOS场效应管1200V单管新产品

INFINEON通过这些产品,INFINEON可满足功率转换应用——譬如电动汽车充电设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动以及服务器和电信设备开关电源(SMPS)对于高能效SiC解决方案不断快速增长的需求。

INFINEON工业功率控制事业部总裁Peter Wawer表示:“在INFINEON,新推出的基础技术必须满足严格的质量标准。即便是标准的TO-247单管封装,前道和后道批量生产流程也必须经过验证。其中包括:收集统计数据,生产监控,以及在标准化生产之外开展与应用相关的测试。在圆满完成SiC MOSFET基础技术的试生产后,我们现在要将最全面的CoolSiC MOSFET产品组合推向市场。”

和之前推出的采用TO247单管封装和Easy模块封装的CoolSiC MOSFET产品一样,新的单管产品采用业内最先进的沟槽工艺打造。采用该工艺既可使应用中的损耗降到最低,还可使保证运行中的高可靠性。极低的动态损耗借助简单的单极驱动方案即可达到最高效率。

INFINEON加速推出CoolSiC MOS场效应管1200V单管新产品

INFINEON的CoolSiC MOSFET沟槽技术将高达4V的阈值电压(Vth)与低米勒电容融为一体。正因为如此,与市场上其它的SiC MOSFET相比,CoolSiC MOSFET可避免寄生导通,再结合最高+18V的推荐门极电压(与最高额定电压+23V相比,还保证了5V安全余量),英飞凌CoolSiC MOSFET比硅IGBT、超结MOSFET及其它SiC MOSFET都更胜一筹。

反并联体二极管牢固可靠,可应用于硬开关,CoolSiC MOSFET系列产品可助力工程师实现最高能效及简化电路设计,CoolSiC MOSFET为功率因数校正(PFC)电路、双向拓扑以及任何硬/软开关的DC-DC或DC-AC电路的设计提供了全新的灵活性。

INFINEON的EiceDRIVER 栅极驱动IC充分满足CoolSiC MOSFET超快开关特性需求,两者结合共同发挥出了SiC的优势:提高效率,节省空间和减轻重量,减少零部件数量,提升系统可靠性,为降低系统成本和运营成本提供了可能,为建设节能高效的世界打造新解决方案。

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