士兰微MOS场效应管_MOS场效应管SVF5N60D型号详情

本文主要介绍士兰微MOS场效应管_MOS场效应管SVF5N60D型号详情，MOS场效应管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体，MOS场效应管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

MOS场效应管在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。

士兰微MOS场效应管

士兰微MOS场效应管SVF5N60T/F/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。士兰微MOS场效应管可广泛应用于AC-DC 开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

MOS场效应管SVF5N60D型号详情

士兰微MOS场效应管_MOS场效应管SVF5N60D型号详情，士兰微MOS场效应管原厂编码SVF5N60DTR，封装规格TO-252，品牌士兰微(Silan)，商品编码10SLW012268，商品毛重0.3，商品型号MOS场效应管 SVF5N60D TO-252 N沟道,600V,5A,1.88Ω@10V。

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