丽隽MOS场效应管_MOS管F501D型号详情

本文主要介绍丽隽MOS场效应管_MOS管F501D型号详情，MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管）属于绝缘栅型。

在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。

丽隽MOS场效应管

公司研发团队来自仙童、IR、TFSS，自2003年组成后一直专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工和封装测试工艺技术，公司开发和生产VDMOS、SG MOSFET、Coolmos、 IGBT、 Gate Driver IC等先进半导体功率器件以及相关的电源管理集成电路产品，广泛应用于节能、绿色照明、智能电网、电动汽车、工控设备、消费电子等领域。

MOS管F501D型号详情

丽隽MOS场效应管_MOS管F501D型号详情，丽隽MOS场效应管特点专有的高级平面技术，耗尽模式（常开），ESD提高了能力，坚固的多晶硅栅极电池结构，快速切换速度，符合RoHS标准，无卤素可用。

品牌PIP(丽隽)，厂家型号F501D，商品编号C343866，丽隽MOS场效应管_MOS管F501D型号封装规格SOT-23，丽隽MOS场效应管_MOS管F501D型号商品毛重0.000100 KG。

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