X-FAB推出雪崩光电二极管和单光子雪崩二极管器件
本文主要介绍X-FAB推出雪崩光电二极管和单光子雪崩二极管器件，X-FAB Silicon Foundries继续开发突破性的工艺方案以解决富有挑战性的设计，现宣布推出雪崩光电二极管（APD）和单光子雪崩二极管（SPAD) 器件，用于满足在微弱光源条件下所需的灵敏度，以及严格的时间分辨率。
基于该公司广受欢迎的180nm高压XH018工艺，这些功能块提供了高性能参数和直接集成的组合，雪崩光电二极管具有良好的线性增益特性，并且完全可扩展从仅仅10到几百微米的尺寸。
使用X-FAB专有抑制电路（quenching circuit) ，单光子雪崩二极管的死区时间少于15ns，因而能够支持高带宽设计。
此外，其较低的暗计数率(dark count rate:<100counts/s/µm²）意味着它对热噪声的敏感性要低得多。
单光子雪崩二极管的高光子探测率（PDP）确保了更高比例的入射光子触发雪崩，并且此高比例能够在很宽的波长范围内保持（例如在400nm处为40％）。
X-FAB 的雪崩光电二极管和单光子雪崩二极管可用于广泛的应用领域，其中包括接近感应、激光雷达（LiDAR）、飞行时间（ToF）、医学成像（CT和PET）和科学研究。
由于它们符合AEC-Q100标准，因而同样适用于汽车系统中应用，此外，已经实现的低击穿电压（<20V）有助于将它们整合到客户芯片，作为X-FAB设计套件的组成部分，它们完整的表征，并可轻松的与XH018工艺中的其他模块组合。
光学和电学仿真模型以及特定的应用指南可帮助设计师在短时间内将这些器件集成到其电路中。除了以功能块格式提供外，配合单光子雪崩二极管工作的抑制参考电路(quenching circuit)也可提供。
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