恩智浦推出碳化硅基氮化镓的射频功率晶体管

本文主要介绍恩智浦推出碳化硅基氮化镓的射频功率晶体管，恩智浦半导体今日宣布推出使用碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)的针对射频能量设计的首个射频功率晶体管,MRF24G300HS利用GaN的高效率，以2.45 GHz超越大多数磁控管的效率，而SiC的高热导率有助于确保连续波(CW)操作。

首个面向2.45 GHz射频能量的GaN-on-SiC晶体管的效率超越大多数磁控管，与磁控管相比，固态可实现智能控制、减少维护、简化操作，凭借GaN-on-SiC，恩智浦可在不影响效率的情况下提供固态的所有优势。

50多年来，2.45 GHz磁控管广泛应用于从微波炉到高功率焊接机等消费者和工业应用领域。数年前，固态解决方案出现在市场上，实现了带来高级控制、可靠性和易用性。

动态调整功率、频率和相位的能力有助于优化传输到被加热材料或食物的能量。在完全额定性能下，晶体管的长使用寿命可减少更换需求。然而，在用于射频能量的GaN-on-SiC出现之前，固态设备的效率不足以达到现有磁控管的性能标准。

MRF24G300HS是330 W CW、50 V GaN-on-SiC晶体管，在2.45 GHz时的能量转换效率为73%，比最新的LDMOS技术高五个点。

GaN的高功率密度使设备能够以小尺寸实现高输出功率。与LDMOS相比，GaN技术本身具有高输出阻抗，允许宽带匹配。这缩短了设计时间，确保生产线上的一致性，无需更多手动调节。MRF24G300HS射频晶体管的简化门极偏压省去了GaN设备上常见的复杂加电序列步骤。

恩智浦无线电功率解决方案资深副总裁兼总经理Paul Hart表示：“固态的智能控制、低维护性和易用性打开了更多新应用机会，如智能烹饪和工业4.0加热设备。通过打破真空管的效率障碍，我们帮助客户释放创新力，同时不影响性能。”

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