士兰微MOS场效应管_MOS场效应管SVF2N60D规格详情

本文主要介绍士兰微MOS场效应管_MOS场效应管SVF2N60D规格详情，MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管），属于绝缘栅型。

在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。

士兰微MOS场效应管

SVF2N60M/F/T/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造，先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PMW 马达驱动。

MOS场效应管SVF2N60D规格详情

士兰微MOS场效应管_MOS场效应管SVF2N60D规格详情，原厂编码SVF2N60DTR，封装规格TO-252，品牌士兰微(Silan)，商品编码10SLW012257，商品毛重0.29，商品型号MOS场效应管SVF2N60D TO-252 N沟道,600V,2A,3.7Ω@10V。

士兰微(Silan)原厂一级代理,销售所有士兰微MOS场效应管_MOS场效应管SVF2N60D规格，全部来自原厂，10PCS起订，士兰微MOS场效应管_MOS场效应管SVF2N60D规格价格0.4390。

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