AVX钽电容的频率特性分析
我们知道每种电容都有它的频率特性,那么AVX钽电容的频率特性是怎么样的呢?AVX钽电容随着频率的增加有效电容的值会减小,直到共振达到(通常视0.5-5MHz的之间该评级)。
除了共振频率的设备变得感性。除了100kHz的电容继续下降。下面以AVX贴片钽电容E型的220UF10V规格为例,来说明钽电容的频率特性AVX钽电容温度特性曲线。
钽电容的频率特性
在介绍AVX钽电容的温度特性曲线前,我们必需对以下两个基本概念有所认识:
额定容量(CR)
这是额定电容。对于钽OxiCap?电容器的电容测量是在25°C时等效串联电路使用测量电桥提供一个0.5VRMS120Hz的正弦信号,谐波与2.2Vd.c。
电容公差
这是实际值的允许偏差电容额定值。
AVX钽电容的温度特征。
钽电容器的电容随温度变化而发生变化。这种变化本身就是一个小的程度上依赖额定电压和电容的大小。从下面的温度曲线图上可以看出在工作温度范围内,钽电容和铌电容的容量会随着温度的上升而上升。
AVX钽电容的温度特征
损耗角正切(TAN)。
这是一个在电容器的能量损耗的测量。它表示,为棕褐色,是电容器的功率损耗其无功功率分为一组指定的正弦电压频率。
也用的术语是功率因数,损耗因子和介电损耗。COS(90-)是真正的功率因数。“使用测量进行测量谭桥梁,提供一个0.5VRMS120Hz的正弦信号。
耗散与温度的关系
耗散系数随温度变化的典型曲线表演。这些地块是钽和OxiCap相同电容器。
耗散因数测量的切线损耗角(TAN),以百分比表示。测量DF是开展测量桥梁供应一个0.5VRMS120Hz的正弦信号,免费谐波与偏见2.2Vdc。
DF值是温度和频率依赖性。注意:对于表面贴装产品所允许的最大DF值表示的收视率表是很重要请注意,这些限额会见了由组件后基板上焊接。
耗散因数的频率依赖性
随着频率的增加损耗因数所示钽和OxiCap庐电容器的典型曲线相同的AVX钽电容的阻抗(Z)。
这是电流电压的比值,在指定的频率。三个因素促成了钽电容器的阻抗;半导体层的电阻电容价值和电极和引线电感。
在高频率导致的电感成为一个限制因素。温度和频率的行为确定这三个因素的阻抗行为阻抗Z。阻抗是在25°C和100kHz。