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国巨陶瓷电容的制作原理及分类

发布于2019-06-03 14:19:06 192次阅读

陶瓷电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。

国巨陶瓷电容的制作原理及分类

制作原理:

用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。

国巨陶瓷电容的制作原理及分类

分类:

陶瓷电容按照封装不同可分为插件和贴片式!按照介质不同可分为I类瓷介电容和II类瓷介电容,通常NP0,SL0,COG是I类瓷介电容,X7R,X5R,Y5U,Y5V是II类瓷介电容,I类瓷介电容容量稳定性很好,基本不随温度,电压,时间等变化而变化。

但是一般容量都很小,而II类瓷介电容容量稳定性很差,随着温度,电压,时间变化幅度较大,所以一般用在对容量稳定性要求不高的场合,如滤波等!

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