大连理工大学黄辉教授课题组研制出GaN纳米线气体传感器
本文主要介绍大连理工大学黄辉教授课题组研制出GaN纳米线气体传感器，大连理工大学黄辉教授课题组发明了无漏电流“纳米线桥接生长技术”，解决了纳米线器件的排列组装、电极接触及材料稳定性问题。
大连理工大学黄辉教授课题组研制出高可靠性（8个月电阻变化率<0.8%）、低功耗（可室温工作）及高灵敏度（NO2检测限0.5ppb）的GaN纳米线气体传感器，该传感器可推广至生物检测以及应力应变检测等，实验结果发表在国际纳米领域顶级期刊“Nano Letters” 。
与传统体材料和薄膜材料相比，半导体纳米线具有大的比表面积、易于形变、纳米级的导光和导电通道、优异的机械性能以及结构灵活多样等优势，是微纳传感器的理想选择。但是，纳米线的器件制备工艺存在纳米线易被污染和损伤、纳米线排列定位困难、纳米线电极接触电阻大的问题，阻碍了纳米线器件的实用化进程。
2004年惠普公司与加州大学合作发明了一种“纳米线桥接生长技术”，在一定程度上解决了这些技术难题。但是，在纳米线桥接生长过程中所产生的寄生沉积层会造成漏电流，这极大的劣化了纳米线器件的性能，该技术并未获得推广应用。
黄辉教授课题组，首次研究了纳米线桥接生长中的寄生沉积效应，发明了一种结合气流遮挡效应与表面钝化效应的桥接生长方法，解决了寄生沉积问题；并首次实现了“无漏电流”的GaN桥接纳米线，在此基础上研制出高稳定性、低功耗以及高灵敏度的集成纳米线气体传感器。
特别是，GaN材料是第三代半导体，具有优异的稳定性（耐高温、抗氧化、耐酸碱腐蚀）和生物兼容性，适用于严酷环境下的应力应变以及液体和气体样品的检测（实验证明氢氟酸腐蚀48小时未对GaN纳米线产生影响），应用领域非常广泛。该技术将推动传感芯片的发展。
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